中国芯片制造新突破！中科院造出最强紫外超分辨光刻机

  经过近七年艰苦攻关，“超分辨光刻装备研制”项目通过验收。这在某种程度上预示着，现在中国有了“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。

  光刻机，那可是芯片制造的核心装备。中国一直在芯片行业受制于人，在光刻机领域更是如此，时常遭遇国外掐脖子、禁售等种种制约。

  该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。

  消息一出，很多人都纷纷称赞，但大多数都是不明觉厉，当然也有人说是吹牛。这一条消息背后，到底意味着什么呢？

  通常情况下，为了追求更小的纳米工艺，光刻机厂商的解决方案是，使用波长越来越短的光源。ASML就是这种思路。

  现在国外使用最广泛的光刻机的光源为193纳米波长深紫外激光，光刻分辨力只有38纳米，约0.27倍曝光波长。

  这台国产光刻机，能做到22纳米。而且，“结合双重曝光技术后，未来还可用来制造10纳米级别的芯片”。

  也就是说，中科院光电所研发的这台光刻机，用波长更长（近紫外）、成本更低（汞灯）的光源，实现了更高的光刻分辨力（0.06倍曝光波长）。

  项目副总设计师、中科院光电技术研究所研究员胡松在接受《中国科学报》采访时，打了一个比方：“这相当于我们用很粗的刀，刻出一条很细的线。”这是所谓的突破分辨力衍射极限。

  为获得更高分辨力，传统上采用缩短光波、增加成像系统数值孔径等技术路径来改进光刻机，但问题就在于不仅技术难度极高，装备成本也极高。

  ASML最新的第五代光刻机使用波长更短的13.5纳米极紫外光（EUV），用于实现14纳米、10纳米、及7纳米制程的芯片生产。

  而中科院光电所这台设备，使用波长更长、更普通的紫外光，意味着国产光刻机使用低成本光源，实现了更高分辨力的光刻。

  有网友评价称，中国造的光刻机说不定和其他被中国攻克的高科技设备一样，以后也成了白菜价。

  超分辨光刻装备项目的顺利实施，打破了国外在高端光刻装备领域的垄断，为纳米光学加工提供了全新的解决途径，也为新一代信息技术、新材料、生物医疗等先进战略技术领域，基础前沿和国防安全提供了核心技术保障。项目副总设计师、中科院光电技术研究所研究员胡松介绍：“第一个首先表现于我们现在的水平和国际上已能达到持一致的水平。分辨率的指标实际上也是属于国外禁运的一个指标，我们这项目出来之后对打破禁运有很大的帮助。”“第二个如果国外禁运我们也不用怕，因为我们这个技术再走下去，我们大家都认为可以有保证。在芯片未来发展、下一代光机电集成芯片或者我们说的广义芯片（研制领域），有可能弯道超车走在更前面。”

  这个设备的出现，并不代表中国的芯片制造立刻就能突飞猛进。一方面，芯片制造是一个庞大的产业生态，另一方面中科院光电所的光刻机还有一定的局限。

  据介绍，目前这个装备已制备出一系列纳米功能器件，包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等，验证了该装备纳米功能器件加工能力，已达到实用化水平。

  不过也有知乎网上的朋友表示“以目前的技术能力，只能做周期的线条和点阵，是无法制作复杂的IC需要的图形的”。

  这一技术被指“在短期内是无法应用于IC制造领域的，是没办法撼动ASML在IC制造领域分毫的……但形成了一定的威胁，长期还是有可能取得更重要的突破的。”

  目前国际上生产光刻机的主要厂商有荷兰的ASML、日本的尼康、佳能。其中，数ASML技术最为先进。

  国内也有生产光刻机的公司，比如上海微电子装备，但技术水平远远落后于ASML。

  上海微电子装备目前生产的光刻机仅能加工90纳米工艺制程芯片，这已经是国产光刻机顶配水平。而ASML已经量产7纳米制程EUV光刻机，至少存在着十几年的技术差距。

  光刻机是制造芯片的核心装备，过去一直是中国的技术弱项。光刻机的水平严重制约着中国芯片技术的发展。我们从始至终在被“卡脖子”。

  国内的芯片制造商中芯国际、长江存储等厂商不得不高价从ASML买入光刻机。

  今年5月，日经亚洲评论曾报道，中芯国际向国际半导体设备大厂ASML下单了一台1.2亿美元的EUV光刻机，预计将于2019年初交货。

  另外，长江存储今年也从ASML买入一台浸润式光刻机，售价高达7200万美元。

  光刻机，芯片制造的核心设备之一。中科院光电所的胡松、贺晓栋在《中科院之声》发表的一篇文章中这样介绍它的重要性：

  后工业时代包括现在的工业3.0、工业4.0，都以芯片为基础，光刻机作为制造芯片的工具，就等于工业时代的机床，前工业时代的人手。

  在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶， 就实现了电路图从掩模到硅片的转移。引自：《一文看懂光刻机》，华创证券

  这只是一个简化的过程，通常情况下，想要用光刻机制造出一个芯片，需要在极其细微的结构上进行上百次套刻和数千道工艺，需要几百种设备才能完成。

  这次中科院研制成功的光刻机，能力达到了22纳米。这是什么概念呢？中科院的文章中提到了一个对比：

  头发的直径约为80微米，22纳米是头发直径的1/3600。也就是说，这个光刻机能够在头发表面加工各种复杂的结构。

  带头完成这项研发任务的，是中科院光电所所长、超分辨光刻装备项目首席科学家、中国科学院大学教授&博导罗先刚研究员。

  微细加工光学技术国家重点实验室主任，国家973计划首席科学家，曾获2016年度国家技术发明一等奖，2017年中国工程院院士增选有效候选人，国家杰出青年科学基金获得者，中组部首批万人计划科技领军人才、2009年“新世纪百千万人才工程”国家级人选，2004年中科院“百人计划”入选者，中国光学学会、美国光学学会、国际光学工程学会、国际光电子与激光工程学会四大学会成员（Fellow）。

  从1995年在中科院光电技术研究所读硕士开始，罗先刚已经从事光电领域20余年了，在中科院光电技术研究所读完硕士和博士后，他去了日本理化学研究所做博士后和研究科学家。

  2004年，罗先刚回到了他读书的中科院光电技术研究所，开始担任研究员。20余年的光电学术之路上，他不仅发表了SCI收录论文100余篇，还带出了数十名优秀的硕士博士生。

  项目副总师胡松也是中科院光电技术研究所的研究员、中国科学院大学博导，在光学投影曝光微纳加工技术、 微细加工光刻技术有丰富的经验，享受国务院政府津贴，曾主持多个国家级、部委级、省级科研项目，发表十余项专利技术。

  根据经济日报报道，2012年，中科院光电所承担了超分辨光刻装备这一国家重大科研装备项目研制任务，当时并没有一点国外成熟经验可借鉴。

  7年来，项目组突破了高均匀性照明、超分辨光刻镜头、纳米级分辨力检焦及间隙测量和超精密、多自由度工件台及控制等关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线曝光波长)。

  在此基础上，项目组还结合超分辨光刻装备项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形等配套工艺，实现了10纳米以下特征尺寸图形的加工。

  另外，这一个项目还发表了论文68篇，申请国家发明专利92项，其中授权47项，申请国际专利8项，授权4项，为国家培养了一支超分辨光刻技术和装备研发团队。

  作为世界上认知度最高的标签，中国制造（Made in China）正寻求战略升级。「了不起的中国制造」专栏，力邀行业权威、资深玩家，呈现他们眼中的中国创新之路。