极紫外EUV光刻机代差详解：2010-2032年

  ：公众比较熟悉的光刻机代差是基于193纳米光刻光源的干式DUV和浸液式DUV。而浸液式DUV光刻，能够最终靠多次曝光获得7纳米节点的能力。本文梳理极紫外EUV光刻机代差，以及过去30年的光刻机发展代差。明确这些技术代差，有助于讨论和思考我国的光刻机发展方式和组织模式。

  在2022年6月底披露的资料中，IMEC公布了更新的未来十年的半导体工艺节点的规划，其中明确了两代EUV光刻技术代差：

  IMEC和ASML的联合实验室将在2023年安装第一台高NA EUV光刻机系统；这是近十年光刻机发展历史上的一个里程碑的进展。

  从1990-2030年的半导体发展路径图上，我们大家可以看到大致上，2005-2019年经历了两个主要代差：

  在中文舆论里，前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机；后者便是所谓“7nm”光刻机。

  而在我2021年10月份的考证里，国产DUV光源的测试计划是248nm的KrF DUV激光器，因此实际上这一款激光器并没有进入批量生产的阶段。这款光源对应上图的位置是1994年。

  当然，咱们不可以把1994年当作技术差距的时间点。例如不排除同步开发的193nm的ArFDUV光源也已确定进入光刻机厂商的测试环节；亦即达到193nm浸没式光刻水平，那么对应上图的位置是2005年左右。同样，根据2021年3月的公开记录而言，可以很容易判断目前可能还不具备规模量产的能力。

  关于国产DUV光刻光源的考证原文：解读中国28nm光刻机（一）:深紫外DUV光刻机光源的曙光

  在上述关于光刻机代差分析里，我们剥离出未来十年的2代代差和过去十年的3代代差，而这正对应于我国的光刻机研发工作的针对目标：

  1，在过去十年的既有技术上的突破，显而易见，自2019年开始国际形势突变之后，我们不再具有轻易获得西方的成熟技术、并依托其上进行迭代式发展的模式。因此就需要重新调整重大专项的目标和组织模式，以产业高质量发展的基础技术储备作为重点攻关，而不是致力于我前文所述的“复制型制造开发”模式。

  2，在未来十年的新技术上，目前全球仅ASML具有条件进行未来十年的2nm至5A的相关研究；这是建立在其过去十年的EUV光刻机垄断式发展基础上建立的垄断式发展优势。

  如何打破这种由于先期产业优势建立起来的垄断式发展模式，创建符合中国产业高质量发展需求、高效可行的先进光刻机发展模式，是我们接下来继续讨论的范畴。我认为，一则，我们应该理解当下“打破垄断”推进模式的弊端；二则，充分调查和理解外部突破的基本模式。