我国国产DUV光刻机迎来里程碑式前进套刻≤8nm

  IT之家 9 月 15 日音讯，工业与信息化部于 9 月 9 日印发《首台（套）严重技能配备推广应用辅导目录（2024 年版）》告诉，在文件列表包含国产氟化氪光刻机（110nm），和氟化氩光刻机（65nm）的内容。

  我国首台（套）严重技能配备是指国内完成严重技能打破、具有知识产权、姑且还没有获得显着商场成绩的配备产品，包含整机设备、中心体系和要害零部件等。

  氟化氪（KrF）和氟化氩（ArF）两种气体均服务于深紫外（DUV）光刻机，发生深紫外光的准分子激光器。

  现在来说，光刻机共阅历了五代的开展，从最早的 436 波长，再到第二代光刻机开始使用波长 365nm i-line，第三代则是 248nm 的 KrF 激光。第四代便是 193nm 波长的 DUV 激光，这便是 ArF 准分子激光。

  ArF（氟化氩）准分子激光源光刻机，光源实践波长打破 193nm，缩短为 134nm，NA 值为 1.35，最高可完成 7nm 制程节点。

  浸入技能是指让镜头和硅片之间的空间浸泡于液体之中，因为液体的折射率大于 1，使得激光的实践波长会大幅度缩小。

  套刻精度便是常说的“多重曝光能到达的最高精度”，按套刻精度与量产工艺 1:3 的联系，这个光刻机有或许能够量产 28nm 工艺的芯片。

  28 纳米光刻机，是芯片中低端和中高端的分界线，意味着工业独立，我国的空调洗衣机轿车等各类工业品，能够打破西方国家设置的重重封闭，自主出产出售。