极紫外光刻新技能面世

  科技日报北京8月1日电（记者张梦然）据日本冲绳科学技能大学院大学（OIST）官网最新陈述，该校规划了一种极紫外（EUV）光刻技能，逾越了半导体制造业的规范边界。基于此规划的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV

  在传统光学体系中，例如照相机、望远镜和传统的紫外线光刻技能，光圈和透镜等光学元件以轴对称办法摆放在一条直线上。这种办法并不适用于EUV射线，由于它们的波长极短，大多数会被资料吸收。因而，EUV光运用月牙形镜子引导。但这又会导致光线违背中心轴，然后献身重要的光学特性并下降体系的全体功能。

  为处理这一问题，新光刻技能经过将两个具有细小中心孔的轴对称镜子摆放在一条直线上来完成其光学特性。

  由于EUV吸收率极高，每次镜子反射，能量就会削弱40%。依照行业规范，只要大约1%的EUV光源能量经过10面反射镜终究抵达晶圆，这在某种程度上预示着需求十分高的EUV光输出。

  相比之下，将EUV光源到晶圆的反射镜数量限制为一共4面，就能有超越10%的能量能够穿透到晶圆，显着下降了功耗。

  新EUV光刻技能的中心投影仪能将光掩模图画转移到硅片上，它由两个反射镜组成，就像天文望远镜相同。团队称，这种装备简略得令人很难来幻想，由于传统投影仪至少需求6个反射镜。但这是经过从头考虑光学像差校对理论而完成的，其功能已经过光学模仿软件验证，可确保满意先进半导体的出产。团队为此规划一种名为“双线场”的新式照明光学办法，该办法运用EUV光从正面照耀平面镜光掩模，却不会搅扰光路。