半导体所研制出室温接连功率46W的GaN基大功率紫外激光器

  氮化镓(GaN)基资料被称为第三代半导体，其光谱规模覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学范畴有重要的使用价值。GaN基紫外激光器因为波长短、光子能量大、散射强等特色，在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以及紫外通讯等范畴有重要的使用远景。但因为GaN基紫外激光器根据大失配异质外延资料技能制备而成，资料缺点多、掺杂难、量子阱发光功率低、器材损耗大，是世界半导体激光器范畴研讨的难点，受到了国内外的极大重视。

  中国科学院半导体研讨所赵德刚研讨员、杨静副研讨员长时间聚集于GaN基光电子资料与器材研讨。2016年研制出GaN基紫外激光器【J. Semicond. 38， 051001 (2017)】，2022年完成电注入激射AlGaN紫外激光器(357.9nm)【J. Semicond.43，1 (2022)】，同年，完成室温接连输出功率3.8W的大功率紫外激光器【Opt. Laser Technol. 156， 108574 (2022)】。近期，本团队在GaN基大功率紫外激光器方面又取得了重要开展，发现了紫外激光器温度特性差主要与紫外量子阱对载流子的约束效果弱有关，经过引进AlGaN量子垒新结构等技能，明显改进大功率紫外激光器的温度特性，紫外激光器的室温接连输出功率进一步提升到4.6W，激射波长386.8nm。图1为大功率紫外激光器的激射光谱，图2为紫外激光器的光功率-电流-电压(P-I-V)曲线。GaN基大功率紫外激光器的打破将推进器材国产化进程，支撑国内紫外光刻、紫外固化、紫外通讯等范畴的自主开展。

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