最近,长江存储的Xtacking4.0技术让人眼前一亮,虽然我们仍依赖西方的光刻工具,但在SSD领域的进展已经不容小觑。
中芯国际又是如何在没有EUV光刻机的情况下成功制造出7nm芯片的?这样一些问题都可以让我们深入探讨!
在半导体技术日新月异的今天,中国科学院在EUV技术的研发上已经投入了大量的资金和人力,虽然目前还无法完全掌握这一核心技术,但我们正真看到SMEE在NIL技术上已经有了显著的进展和投入。
以往提到半导体设备,我们总是将目光投向ASML这样的西方巨头,因为只有他们才能生产出最先进的EUV光刻机,其他几个国家的企业想要追赶,就没有希望。
但是最近,TechInsights在分析长江存储新发布的SSD时发现,其中竟然应用了Xtacking4.0技术,这一技术的亮点在于可以大幅度提高SSD的读写速度和能效比。
长江存储作为国内闪存存储器领域的一颗新星,能够在极短的时间内推出这样的技术成果,已经让人刮目相看了。
更何况,虽然我们大家都知道长江存储在SSD中使用了Xtacking4.0技术,但根据目前公开的信息来看,他们仍然依赖于西方国家的光刻工具。
这就让人感到有些矛盾了,为什么长江存储能在闪存技术上取得如此领先的地位,却依然无法完全摆脱对西方工具的依赖呢?
TechInsights给出的分析是,长江存储虽然在SSD上使用了Xtacking4.0技术,但实际上他们的光刻工艺还不够成熟,无法独立完成芯片上的图案转移,因此不得不借用西方国家光刻机的成果。
即便如此,我们仍就可以看到国产设备逐步替代进口设备的趋势,这是一种积极向上的信号。
如果再往前追溯,我们会发现EUV光刻机在国内也是一个相对冷门的话题,因为很少有人提到东方大国公司能够生产出EUV光刻机。
此前我们从始至终在强调EUV设备的重要性,那是因为它代表着半导体制造工艺的顶尖水平,只有掌握了EUV光刻机的技术,才能够生产出10nm及以下工艺节点的芯片。
而10nm以下的工艺节点又代表着更高的性能、更低的功耗和更强的竞争力。可以说,EUV光刻机就是半导体行业的一把钥匙,谁掌握了这把钥匙,谁就能够进入一个全新的世界。
可惜的是,中国虽然在这方面投入了大量资金,但由于美国施压,我们始终没有办法获得最新款的EUV设备。
虽然有一些非正式渠道表示我们已经买到了二手EUV设备,但很多人对此持怀疑态度,认为这不过是官方的一种自我安慰罢了。
我们无法判断这种二手设备是否能够满足国内企业的需求,也不知道其性能是否足够优秀。
在这种情况下,我们不得不承认,东方大国在EUV光刻机上与西方国家存在着巨大的差距。
那么问题来了,如果连最先进的EUV设备都没有办法获得,那我们该如何生产出10nm以下工艺节点的芯片呢?
根据最新的信息,中芯国际已经成功地通过浸润式DUV光刻机加自对准四重图形化技术实现了7nm芯片的制造。
这里需要解释一下什么是DUV光刻机,其实简单来说就是深紫外光刻机,相对于EUV光刻机来说,它的波长要大很多。
以ASML生产的EUV光刻机为例,它的波长仅有32nm,而DUV光刻机的波长则达到了248nm或者193nm。
DUV光刻机虽然无法与EUV光刻机抗衡,但凭借着多重曝光和图形化技术,依然可以在7nm工艺上大显身手。
中芯国际是通过浸润式DUV光刻机加自对准四重图形化技术成功制造出了7nm芯片。
这是什么概念?这在某种程度上预示着,中芯国际已经具备了与台积电和三星正面交锋的实力,因为后者两家目前7nm工艺节点的芯片都是独占鳌。
而中芯国际若能够量产的话,将会成为继台积电、三星之后,又一家拥有7nm制程能力的企业。
而且从长远的发展来看,如果中芯国际能够继续攻克7nm工艺中的各种难关,那么8nm、9nm甚至更高工艺节点也将会成为水到渠成的事情。
根据中芯国际官方给出的介绍,这项技术主要是解决传统DUV光刻机不足以满足7nm工艺分辨率要求的问题。
具体来说,是通过4个图形一起进行曝光,并且利用先进的算法来进行实时校准,来保证每个图形之间的精确对位。
这样一来,不仅解决了分辨率的问题,而且还大幅度提高了工作效率,节省了大量的成本和时间。
半导体行业的竞争真是日趋激烈,中国在技术上虽然面临诸多挑战,但长江存储和中芯国际的努力让人看到了希望。
未来的发展值得期待,你觉得我们的半导体技术能否迎头赶上西方巨头?欢迎在评论区留言讨论,别忘了点赞支持哦!
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